144-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1612KV18-300BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Speed**: 300 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5%  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Access Time**: 3.3 ns (max)  
- **Cycle Time**: 3.3 ns  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Burst mode operation  
  - JTAG boundary scan  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C1612KV18-300BZC)