144-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1612KV18-250BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
2. **Density**: 72-Mbit (4M x 18)
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)
4. **Voltage Supply**: 1.5V (VDD) and 1.8V (VDDQ)
5. **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits
6. **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
7. **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
9. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
10. **Data Rate**: 500 MHz (double data rate on both read and write ports)
11. **Separate I/O**: Independent read and write ports for simultaneous operations
12. **Pipeline Architecture**: Supports high-speed operation with registered inputs and outputs
13. **Low Power**: Partial array refresh and sleep mode options
14. **RoHS Compliant**: Yes

This device is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.