72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1570KV18-500BZXI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 36 Mb (1M x 36)
- **Organization**: 1,048,576 words × 36 bits
- **Speed**: 500 MHz (2.0 ns clock-to-output)
- **Supply Voltage**: 1.8V ±5% (VDD) and 1.5V ±5% (VDDQ for I/O)
- **Interface**: Synchronous, pipelined with ZQ-controlled output impedance
- **Access Time**: 2.0 ns (maximum)
- **Cycle Time**: 2.0 ns (minimum)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
- **Features**:
  - Supports burst operations (linear or interleaved)
  - On-chip address and data pipelining
  - Single-cycle deselect for power savings
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ pin for power-down mode
  - Parity support (for error detection)
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.