72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1570KV18-400BZXI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 36 Mb (1M x 36)
- **Organization**: 1,048,576 words × 36 bits
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-output)
- **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)
- **I/O Voltage**: 1.8V (LVCMOS)
- **Architecture**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Access Time**: 2.5 ns (max)
- **Cycle Time**: 2.5 ns (400 MHz operation)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) or SSTL (Stub Series Terminated Logic)
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Byte Write capability
  - Burst mode operation
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ (sleep mode) for power saving
  - Echo clocks for data capture

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.