72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1568KV18-400BZXI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:

- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.7V to 1.9V (nominal 1.8V)  
- **Organization**: 4,194,304 words x 18 bits  
- **Interface**: Synchronous with ZQ input for impedance matching  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Access Time**: 2.5 ns (max)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Burst and single-read/write operations  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - JTAG boundary scan support  
  - Byte write capability  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.