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CY7C1565KV18-450BZC from CYPRESS

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CY7C1565KV18-450BZC

Manufacturer: CYPRESS

72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1565KV18-450BZC,CY7C1565KV18450BZC CYPRESS 30 In Stock

Description and Introduction

72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1565KV18-450BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 36 Mb (1M x 36)  
- **Speed**: 450 MHz  
- **Voltage**: 1.8V ±5%  
- **Organization**: 1,048,576 words × 36 bits  
- **Access Time**: 2.2 ns (max)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Burst mode operation  
  - On-chip address and data pipelining  
  - Single-cycle deselect  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) # CY7C1565KV18450BZC 36-Mbit QDR-IV SRAM Technical Documentation

 Manufacturer : CYPRESS

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1565KV18450BZC is a 36-Mbit QDR-IV SRAM (Quad Data Rate IV Static Random Access Memory) organized as 2M × 18 bits, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and low latency.

 Primary Use Cases: 
-  Network Packet Buffering : Ideal for storing incoming/outgoing packets in routers, switches, and network interface cards where deterministic latency and high bandwidth are critical
-  Lookup Tables : Storage for routing tables, MAC address tables, and other network processing databases requiring rapid access
-  Cache Memory : Secondary cache in networking processors, ASICs, and FPGAs where on-chip memory is insufficient
-  Data Plane Processing : Temporary storage in data plane processors for packet modification, classification, and traffic management operations

### Industry Applications
 Networking Equipment: 
- Core routers (400G/800G platforms)
- Enterprise switches (Top-of-Rack, aggregation switches)
- Wireless infrastructure (5G baseband units, radio access network equipment)
- Network security appliances (firewalls, intrusion detection systems)

 Telecommunications: 
- Optical transport network equipment
- Microwave backhaul systems
- Edge computing platforms

 High-Performance Computing: 
- Scientific computing accelerators
- Financial trading systems
- Military/aerospace radar and signal processing systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : Supports up to 450 MHz clock frequency with 4 data transfers per cycle, delivering 36 Gbps total bandwidth
-  Deterministic Latency : Fixed read/write latency enables predictable system performance
-  Separate I/O : Independent read and write ports eliminate contention and simplify system design
-  Low Power : 1.2V VDD operation with optional 1.5V VDDQ for I/O compatibility
-  Burst Operation : Supports burst lengths of 2 for efficient data transfer

 Limitations: 
-  Higher Cost : QDR-IV SRAMs are more expensive than DDR SDRAM alternatives
-  Power Consumption : Higher active power compared to DRAM technologies
-  Density Limitations : Maximum density of 36-Mbit may require multiple devices for larger memory requirements
-  Complex Interface : Requires careful timing closure and signal integrity management

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Challenges: 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew and data valid window constraints
-  Solution : Implement precise clock tree synthesis, use matched length routing for clock and data signals, and perform comprehensive timing analysis across process-voltage-temperature (PVT) corners

 Signal Integrity Issues: 
-  Pitfall : Signal degradation at high frequencies causing bit errors
-  Solution : Implement proper termination schemes (ODT), use controlled impedance PCB stackup, and maintain consistent characteristic impedance throughout the signal path

 Power Delivery Problems: 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events
-  Solution : Use dedicated power planes, implement adequate decoupling capacitor network (mix of bulk, ceramic, and high-frequency capacitors), and follow manufacturer's PDN guidelines

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface: 
- Requires QDR-IV compatible memory controller (typically integrated in ASICs or FPGAs)
- Verify controller supports specific burst length (2) and latency modes
- Ensure proper initialization sequence compatibility

 Voltage Level Compatibility: 
- Core voltage: 1.2V ±5% (VDD)
- I/O voltage: 1.5V or 1.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1565KV18-450BZC,CY7C1565KV18450BZC CY 27 In Stock

Description and Introduction

72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1565KV18-450BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 36 Mb (2M x 18)
- **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock-to-output)
- **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)
- **Organization**: 2,097,152 words × 18 bits
- **Interface**: Synchronous pipelined with ZQ (impedance calibration)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**:
  - Supports burst operations (linear or interleaved)
  - On-die termination (ODT)
  - Single-cycle deselect
  - Byte write control
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - HSTL (1.8V) I/O interface
  - 3-chip enable signals for depth expansion
  - Sleep mode for reduced power consumption

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) # Technical Documentation: CY7C1565KV18450BZC 36-Mbit QDR-IV SRAM

*Manufacturer: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1565KV18450BZC is a 36-Mbit QDR-IV SRAM organized as 1M × 36, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and low latency. Key use cases include:

 Network Processing Applications 
-  Packet Buffering : Essential in network switches and routers where high-speed packet storage and retrieval are critical
-  Look-up Tables : Stores forwarding tables and routing information in terabit routers
-  Statistics Counters : Maintains real-time network traffic statistics with simultaneous read/write capability

 Computing Systems 
-  Cache Memory : Serves as L3/L4 cache in high-performance servers and supercomputers
-  Video Processing : Frame buffer memory in broadcast equipment and medical imaging systems
-  Data Acquisition : Temporary storage in radar systems and scientific instrumentation

### Industry Applications
-  Telecommunications : 5G infrastructure, core routers, and base stations
-  Data Centers : High-performance computing clusters and storage area networks
-  Military/Aerospace : Radar systems, avionics, and satellite communications
-  Medical Imaging : MRI, CT scanners, and ultrasound systems
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 450 MHz operation delivers 36 Gbps total bandwidth
-  Low Latency : Deterministic timing with separate read/write ports eliminates bus contention
-  QDR Architecture : Simultaneous read/write operations for maximum throughput
-  HSTL I/O : High-speed transceiver logic interfaces for improved signal integrity
-  Burst Operation : Burst lengths of 2 and 4 for efficient data transfer

 Limitations: 
-  Power Consumption : Higher than DDR SDRAM alternatives (typically 1.8W active)
-  Cost Premium : More expensive per bit than commodity memories
-  Complex Interface : Requires careful timing closure and signal integrity analysis
-  Density Limitations : Maximum 36-Mbit density may require multiple devices for larger memory requirements

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Challenges 
-  Pitfall : Failure to meet strict setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for all clock and data signals
-  Implementation : Use constraint-driven layout tools with timing analysis

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Proper termination schemes (series and parallel termination)
-  Implementation : HSTL_18 Class I or II termination as per application requirements

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop affecting memory performance
-  Solution : Robust power delivery network with adequate decoupling
-  Implementation : Multiple capacitor values (0.1μF, 0.01μF, 100pF) placed close to power pins

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers (e.g., Xilinx MIG, Intel Qsys)
- Verify controller supports burst lengths of 2 and 4
- Ensure proper initialization sequence during power-up

 Voltage Level Compatibility 
- Core voltage: 1.5V ±5%
- I/O voltage: 1.8V ±5%
- Requires level translation when interfacing with 3.3V or 2.5V systems

 Clock Domain Synchronization 
- Differential clock inputs (K, K#) require careful phase alignment
- Must synchronize with system clock domains to

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