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CY7C1550KV18-400BZXC from CY,Cypress

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CY7C1550KV18-400BZXC

Manufacturer: CY

72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1550KV18-400BZXC,CY7C1550KV18400BZXC CY 30 In Stock

Description and Introduction

72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1550KV18-400BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Density**: 36 Mb (2M x 18)
- **Organization**: 2,097,152 words × 18 bits
- **Technology**: Synchronous pipelined SRAM
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Pin Count**: 165
- **Access Time**: 2.5 ns (pipelined)
- **Burst Modes**: Linear or interleaved burst sequences
- **Features**: 
  - Byte Write capability
  - On-chip address and data pipeline registers
  - ZZ (sleep mode) power-down feature
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption
- **Applications**: Networking, telecommunications, and high-performance computing.

For exact details, refer to the official datasheet from Infineon/Cypress.

Application Scenarios & Design Considerations

72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)# Technical Documentation: CY7C1550KV18400BZXC SRAM

 Manufacturer : Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1550KV18400BZXC is a 72-Mbit QDR®-IV SRAM organized as 4M × 18 bits, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and low latency.

 Primary Applications: 
-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards requiring 400MHz operation
-  Telecommunications : Base station processing and signal processing in 5G infrastructure
-  Data Center Equipment : Cache memory in storage controllers and server applications
-  Military/Aerospace : Radar systems and mission computing where reliability is critical
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems and oscilloscopes

### Industry Applications
 Networking Industry : 
- Core routers handling 100Gbps+ traffic
- Ethernet switches with deep packet buffers
- Network security processors for intrusion detection

 Wireless Infrastructure :
- 5G NR baseband units (BBUs)
- Massive MIMO processing
- Beamforming computation memory

 Industrial Automation :
- Real-time control systems
- High-speed machine vision processing
- Robotics motion control

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 28.8 GB/s maximum bandwidth (400MHz × 72 bits)
-  Low Latency : 2.5ns clock-to-output delay
-  Deterministic Timing : Separate read/write ports eliminate bus contention
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation
-  Error Detection : Built-in parity checking for data integrity

 Limitations: 
-  Power Consumption : Higher than DDR SDRAM alternatives (typically 1.8W active)
-  Cost Premium : Significant price differential versus commodity memories
-  Density Limitations : Maximum 72Mbit capacity may require multiple devices for larger memory pools
-  Interface Complexity : Requires careful timing closure for 400MHz operation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues: 
-  Pitfall : Failure to meet 2.5ns setup/hold times at 400MHz
-  Solution : Use manufacturer-provided IBIS models for simulation, implement length-matched routing

 Signal Integrity Challenges: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed address/control lines
-  Solution : Implement series termination resistors (typically 22-33Ω) close to driver

 Power Distribution Problems: 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching outputs (SSO)
-  Solution : Use dedicated power planes with adequate decoupling (multiple 0.1μF and 0.01μF capacitors per VDD pin)

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility: 
-  Core Voltage : 1.2V VDD requires precise LDO or switching regulator
-  I/O Voltage : 1.5V VDDQ must match host processor interface voltage
-  Mixed Signal Systems : May require level translators when interfacing with 3.3V or 1.8V systems

 Controller Interface Requirements: 
- Requires QDR-IV compatible memory controller
- Clock forwarding architecture demands precise clock tree design
- Burst-of-4 operation must align with processor burst requirements

### PCB Layout Recommendations

 Stackup Design: 
- Minimum 6-layer stackup recommended:
  - Layer 1: Signal (address/control)
  - Layer 2: Ground
  - Layer 3: Power (VDD/VDDQ)
  - Layer 4: Signal (data)
  - Layer

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