72-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1523KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:  

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Double Data Rate (DDR) interface  
  - On-chip latency pipeline  
  - Burst modes: Sequential & Interleaved  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1)  
  - HSTL I/O compatible  
  - ZZ (sleep mode) power-down feature  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other memory-intensive applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)