72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1520KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)
- **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5% (HSTL compatible)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm × 15mm
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Cycle Time**: 4 ns (250 MHz)
- **Access Time**: 3.2 ns
- **Interleaved or Linear Burst Support**
- **On-Die Termination (ODT)**
- **ZQ Calibration for Output Drive Strength**
- **Double Data Rate (DDR) Interface**
- **CAS Latency**: Programmable (2 or 3 cycles)
- **Partial Array Refresh (PAR) for power savings**

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.