72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1518KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 18 Mb (1M x 18)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-data access)
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (1.8V nominal)
- **I/O Voltage**: 1.7V to 1.9V (HSTL compatible)
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm × 15mm
- **Interface**: Synchronous with pipelined output
- **Features**: 
  - Supports burst operations (linear or interleaved)
  - On-chip address and data pipelining
  - ZZ (sleep mode) power-down feature
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect for reduced power
  - 3.3V-tolerant inputs
- **Applications**: Networking, telecommunications, and high-speed computing systems.

This SRAM is designed for high-bandwidth, low-latency applications requiring fast data access.