72-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1514KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
6. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
10. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Byte Write capability  
   - Single-cycle deselect  
   - Burst mode support (linear or interleaved)  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-bandwidth applications requiring fast data access.

72-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1514KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress (now Infineon). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-data access)  
- **Voltage**: 1.8V ±5% core, 1.5V/1.8V I/O  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - Echo clocks for data capture  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipelining  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.