72-Mbit (2 M ?36/4 M ?18/1 M ?72) Pipelined SRAM with NoBL?Architecture The CY7C1474V25-200BGXI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
3. **Speed**: 200 MHz  
4. **Access Time**: 3.5 ns  
5. **Supply Voltage**: 2.5V (VDD)  
6. **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)  
7. **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C (Industrial)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
10. **Interface**: Synchronous with separate input/output (I/O)  
11. **Burst Modes**: Supports linear and interleaved burst sequences  
12. **Pipeline Stages**: Two-stage pipeline for high-speed operation  
13. **Features**:  
    - Byte Write Control  
    - ZZ (Sleep) Mode for power saving  
    - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)  
    - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

14. **Applications**: Networking, telecommunications, and high-performance computing systems.  

This information is sourced from Cypress Semiconductor's official datasheet for the CY7C1474V25-200BGXI.