36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1420KV18-333BZXI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 333 MHz (3.0 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - ZQ pin for output drive strength control  
  - On-chip address and control pipeline registers  
  - Byte Write capability  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O interface  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.