36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1420KV18-333BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Speed**: 333 MHz (3.0 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O  
  - Burst mode support (linear or interleaved)  
  - On-chip address and control registers  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.  

(Source: Infineon/Cypress datasheet for CY7C1420KV18 series)