36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1420KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:  

- **Density**: 36 Mb (2M × 18)  
- **Organization**: 2,097,152 words × 18 bits  
- **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) core, 1.5V (VDDQ) I/O  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Double Data Rate (DDR) synchronous interface  
  - On-chip ECC (Error Correction Code) for reliability  
  - JTAG boundary scan support  
  - Byte Write capability  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C1420KV18 series)