36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1420KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Size**: 18 Mb (1M x 18-bit)  
2. **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
3. **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) core, 1.5V/1.8V (VDDQ) I/O  
5. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
6. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Features**:  
   - Burst modes: Linear, Interleaved  
   - On-chip address and control pipelining  
   - Byte-wise write control  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1)  

For exact details, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1420KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Size**: 18 Mb (1M x 18)
2. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-data access)
4. **Supply Voltage**: 1.8V ±0.1V (core), 1.5V or 1.8V (I/O)
5. **Interface**: Synchronous with ZQ input for impedance matching
6. **Architecture**: Pipelined for high-speed operation
7. **Data Bandwidth**: Up to 4.5 GB/s (250 MHz operation)
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
9. **Package**: 165-ball FBGA (13mm x 15mm)
10. **Features**: 
    - Byte Write capability (Upper and Lower bytes)
    - On-chip address and data pipeline registers
    - Single-cycle deselect for reduced power consumption
    - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
    - HSTL I/O compatible

This device is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.