36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1420JV18-300BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
3. **Speed**: 300 MHz  
4. **Voltage Supply**: 1.8V  
5. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
6. **Access Time**: 3.3 ns (max)  
7. **Cycle Time**: 3.3 ns (max)  
8. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
9. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
11. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed applications  
   - Byte write capability  
   - On-chip address and data pipeline registers  
   - JTAG boundary scan support  
   - Single-cycle deselect  

This SRAM is designed for applications requiring high bandwidth and low latency, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1420JV18 series.)