36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1420BV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 18 Mb (1M x 18-bit)  
2. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-data access)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) core, 1.5V to 1.8V (VDDQ) I/O  
5. **Technology**: Synchronous pipelined SRAM  
6. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
9. **Features**:  
   - Byte Write capability (Upper/Lower bytes)  
   - Single-cycle deselect for easy depth expansion  
   - Echo clocks for simplified data capture  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
   - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.