36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1418KV18-300BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Speed**: 300 MHz (3.3 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) core, 1.5V/1.8V (VDDQ) I/O  
- **Interface**: Synchronous, pipelined with ZQ calibration  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Double Data Rate (DLL-enabled)  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Burst modes: Sequential and Interleaved  
  - JTAG boundary scan support  
  - Supports HSTL I/O  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet)