36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1418KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Supports burst operations (linear or interleaved)  
  - On-chip address and data pipelining  
  - ZZ (sleep mode) for power saving  
  - JTAG boundary scan support  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other applications requiring fast data access.