36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1418KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Access Time**: 3.6 ns (clock-to-data)  
- **Cycle Time**: 4.0 ns  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Burst mode support (Linear or Interleaved)  
  - Byte Write Control  
  - ZZ (Sleep Mode) for power saving  
  - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.