36-Mbit QDR?-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1414JV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Access Time**: 3.6 ns (pipelined)  
- **Burst Modes**: Linear, Interleaved  
- **Features**:  
  - Supports ZZ (Sleep) mode for power saving  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipelining  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

36-Mbit QDR?-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1414JV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:  

- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (nominal 1.8V)  
- **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-data access)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Pipeline Stages**: Two-stage output pipeline  
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved (programmable)  
- **Additional Features**:  
  - Byte Write Control  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Echo Clock (CQ/CQ#) for data capture  
  - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1414JV18 series.)