36-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1413KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Cycle Time**: 4 ns  
- **Access Time**: 3.2 ns  
- **I/O Type**: Common I/O  
- **Burst Length**: 2, 4, 8, or linear  
- **CAS Latency**: N/A (Not applicable for SRAM)  
- **Additional Features**:  
  - Byte Write Control  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - ZZ (Sleep Mode) power-saving feature  
  - JTAG Boundary Scan  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.