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CY7C1413KV18-250BZXC from CYPRESS

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CY7C1413KV18-250BZXC

Manufacturer: CYPRESS

36-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1413KV18-250BZXC,CY7C1413KV18250BZXC CYPRESS 73 In Stock

Description and Introduction

36-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1413KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Cycle Time**: 4 ns  
- **Access Time**: 3.2 ns  
- **I/O Type**: Common I/O  
- **Burst Length**: 2, 4, 8, or linear  
- **CAS Latency**: N/A (Not applicable for SRAM)  
- **Additional Features**:  
  - Byte Write Control  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - ZZ (Sleep Mode) power-saving feature  
  - JTAG Boundary Scan  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

36-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture# Technical Documentation: CY7C1413KV18250BZXC SRAM

 Manufacturer : CYPRESS

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1413KV18250BZXC is a 72-Mbit QDR®-IV SRAM organized as 4M × 18 bits, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and low latency. Typical use cases include:

-  Network Packet Buffering : Handles high-speed data packet storage in routers, switches, and network interface cards operating at 10G/40G/100G Ethernet speeds
-  Cache Memory Applications : Serves as L2/L3 cache in high-performance computing systems, storage controllers, and embedded processors
-  Video Frame Buffering : Supports real-time video processing in broadcast equipment, medical imaging systems, and military displays
-  Data Acquisition Systems : Provides temporary storage in radar, sonar, and test/measurement equipment requiring rapid data capture

### Industry Applications
-  Telecommunications : 5G infrastructure, base stations, and core network equipment
-  Data Centers : Server motherboards, storage area networks, and network appliances
-  Industrial Automation : Programmable logic controllers, motor drives, and robotics control systems
-  Aerospace/Defense : Radar signal processing, avionics systems, and military communications
-  Medical Imaging : MRI, CT scanners, and ultrasound equipment requiring high-speed data processing

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : QDR-IV architecture delivers up to 550 MHz operation with separate read/write ports
-  Low Latency : Pipeline architecture ensures consistent access times for critical applications
-  Burst Operation : Supports burst lengths of 2 and 4 for efficient data transfer
-  Thermal Management : Available in thermally enhanced BGA packages for improved reliability
-  Error Detection : Optional parity checking for enhanced system reliability

 Limitations: 
-  Power Consumption : Higher active power compared to DDR SRAM alternatives
-  Complex Interface : Requires careful timing closure for separate read/write clocks
-  Cost Considerations : Premium pricing compared to standard synchronous SRAM
-  Board Complexity : Demands sophisticated PCB design for signal integrity maintenance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew and propagation delays
-  Solution : Implement matched-length routing for all address/control signals and use dedicated clock trees

 Signal Integrity Challenges 
-  Pitfall : Signal degradation from crosstalk and reflections at high frequencies
-  Solution : Employ proper termination schemes (series termination typically 22-33Ω) and maintain controlled impedance

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop causing memory corruption during simultaneous switching
-  Solution : Use dedicated power planes with adequate decoupling (multiple 0.1μF and 0.01μF capacitors near power pins)

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface Compatibility 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers (e.g., Xilinx Virtex-7, Intel Stratix V)
- Voltage level matching essential (1.5V HSTL I/O standard)
- Clock domain crossing considerations when interfacing with asynchronous systems

 Mixed-Signal Considerations 
- Potential noise coupling with analog/RF circuits requires proper isolation
- Separate power domains recommended for noise-sensitive adjacent components

### PCB Layout Recommendations

 Stackup Design 
- Minimum 6-layer stackup: Signal-GND-Power-Signal-GND-Signal
- Dedicated power and ground planes for clean power delivery

 Routing Guidelines 
-  Length Matching : Critical signals matched within ±50 mils
-  Differential Pairs : K/K# clocks routed

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