36-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1412KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (nominal 1.8V)
- **Speed Grade**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Pipelined operation for high-speed data transfer
  - Byte Write capability (Upper and Lower bytes)
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption
  - On-chip address and data pipeline registers
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ (Sleep Mode) for power savings
  - Synchronous self-timed writes
  - Burst mode support (linear or interleaved)
  - 3.3V or 2.5V I/O supply option (VDDQ)

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-latency memory, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.