32K x 8 3.3V Static RAM The CY7C1399-12ZC is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Density**: 4Mb (256K x 16)
- **Speed**: 12ns access time
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
- **Organization**: 256K words × 16 bits
- **Interface**: Synchronous (pipelined burst)
- **Burst Modes**: Linear or interleaved burst sequences (supports 2, 4, or 8-word bursts)
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **I/O Type**: Common I/O (input/output shared)
- **Features**: 
  - Single-cycle deselect
  - Byte write control (UB/LB)
  - Clock enable (CEN) pin
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ sleep mode for power saving
- **Cycle Time**: 12ns (maximum)
- **Power Consumption**: Active current typically 180mA (max 220mA), standby current typically 30mA (max 50mA)

32K x 8 3.3V Static RAM The CY7C1399-12ZC is a high-speed CMOS synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Density**: 4Mb (512K x 8)  
- **Speed**: 12 ns access time  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Interface**: Synchronous (pipelined)  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type**: Single-ended  
- **Features**:  
  - Burst mode operation  
  - Byte write capability  
  - 3.3V I/O compatibility  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1399-12ZC)