18-Mbit DDR II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1393KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 4Mb (256K x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-data access)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5%  
5. **Organization**: 256K words × 18 bits  
6. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Cycle Time**: 4 ns  
10. **Features**:  
   - Byte Write Control  
   - Burst Mode Support (Linear or Interleaved)  
   - JTAG Boundary Scan  
   - Single Clock (HSTL) for all operations  
   - ZZ (Sleep Mode) for power savings  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.