18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1371D-100AXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Density**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Organization**: 256K words × 18 bits
- **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
- **I/O Type**: Synchronous, pipelined
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Burst mode support (linear/interleaved)
  - Byte write control
  - Single-cycle deselect
  - Automatic power-down
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ sleep mode for power saving
- **Interface**: LVTTL-compatible inputs/outputs
- **Cycle Time**: 10 ns (100 MHz operation)

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1371D-100AXC is a 3.3V, 256K x 36 synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (CYP). Key specifications include:  

- **Density**: 9 Mb (256K x 36)  
- **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **Organization**: 36-bit data bus with separate byte controls  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Interface**: Synchronous with pipelined output  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**: Burst mode support, ZZ sleep mode for power saving, JTAG boundary scan  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1371D-100AXC is a Synchronous Pipelined Burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: 3.3V Synchronous Pipelined Burst SRAM  
- **Density**: 4 Mbit (organized as 256K x 16)  
- **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)  
- **Voltage Supply**: 3.3V ±10%  
- **I/O**: 16-bit  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Burst Modes**: Linear and Interleaved  
- **Features**:  
  - Single-cycle deselect  
  - Byte write control  
  - Self-timed write cycle  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - ZZ sleep mode for power reduction  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.