18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture The CY7C1370D-200BZI is a high-speed synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (256K x 16)  
3. **Speed**: 200 MHz (5 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 3.3V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 3.3V (VDDQ)  
6. **Organization**: 256K words × 16 bits  
7. **Package**: 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Interface**: Synchronous with ZBT (Zero Bus Turnaround) feature  
10. **Burst Modes**: Linear or Interleaved burst sequencing  
11. **Pipeline Stages**: Two-cycle read latency  
12. **Additional Features**:  
    - Byte Write Enable control  
    - Single-cycle deselect  
    - JTAG boundary scan support  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.