512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture The CY7C1370BV25-133AC is a high-performance synchronous pipelined Burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (256K x 18)  
3. **Speed**: 133 MHz (7.5 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 2.5V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)  
6. **Organization**: 256K words × 18 bits  
7. **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Package)  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
9. **Burst Modes**: Linear or Interleaved  
10. **Interface**: Synchronous with ZQTTM (Zero Bus Turnaround) for high-speed operation  
11. **Features**:  
   - Byte Write capability  
   - Self-timed write cycle  
   - Single-cycle deselect  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and cache memory applications.