9-Mbit (256 K ?36/512 K ?18) Pipelined DCD Sync SRAM The CY7C1366C-166AXC is a 3.3V, 256K x 36 synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:

- **Organization**: 256K x 36  
- **Operating Voltage**: 3.3V (±5%)  
- **Speed**: 166 MHz  
- **Access Time**: 3.0 ns (clock-to-output)  
- **Cycle Time**: 6.0 ns  
- **I/O Type**: Common I/O  
- **Package**: 100-pin TQFP (14mm x 20mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Byte Write capability (4 byte write enables)  
  - ZZ (Sleep) mode for power reduction  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Single-cycle deselect for easy depth expansion  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.

9-Mbit (256 K ?36/512 K ?18) Pipelined DCD Sync SRAM The CY7C1366C-166AXC is a 3.3V, 256K x 36/512K x 18 synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:

- **Organization**: 256K x 36 or 512K x 18
- **Voltage Supply**: 3.3V ±10%
- **Speed**: 166 MHz (6 ns clock-to-output)
- **Operating Current**: 700 mA (typical)
- **Standby Current**: 25 mA (typical)
- **Package**: 100-pin TQFP (14mm x 20mm)
- **I/O Type**: HSTL-compatible
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Pipeline Stages**: Two-stage output pipeline

The device supports synchronous operation with address, data, and control signals registered on the rising edge of the clock input. It features ZZ (sleep) mode for power reduction and JTAG boundary scan for testing.

9-Mbit (256 K ?36/512 K ?18) Pipelined DCD Sync SRAM The CY7C1366C-166AXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Organization**: 262,144 words × 18 bits
- **Speed**: 166 MHz (6 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD) ±10%
- **I/O Voltage**: 2.5V or 3.3V (VDDQ)
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Interface**: Synchronous with pipelined output
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Byte Write capability (Upper/Lower bytes)
  - Single-cycle deselect
  - Clock suspend mode
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ (sleep) mode for power saving

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.