9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM The CY7C1363B-133AC is a high-speed CMOS 3.3V synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Density & Organization**:  
   - 4Mbit (512K x 8) or 2Mbit (256K x 8) configurations.

2. **Speed**:  
   - 133 MHz operation (7.5 ns clock-to-data access time).

3. **Voltage Supply**:  
   - 3.3V ±10% (VDD).

4. **I/O Interface**:  
   - Synchronous pipeline operation.  
   - Single-cycle deselect feature.  
   - Byte write control (BW1, BW2, BW3, BW4).  

5. **Package**:  
   - 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack).  

6. **Temperature Range**:  
   - Commercial (0°C to +70°C).  

7. **Features**:  
   - Internally self-timed write cycle.  
   - Automatic power-down when deselected.  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant).  

8. **Applications**:  
   - Networking, telecommunications, and high-performance computing systems.  

For exact details, refer to the official Cypress datasheet.

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM The CY7C1363B-133AC is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM
- **Density**: 4 Mbit (256K x 16)
- **Speed**: 133 MHz (7.5 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
- **Organization**: 256K words × 16 bits
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **I/O Type**: LVTTL-compatible
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved
- **Features**: 
  - Single-cycle deselect
  - Byte write control
  - Self-timed write cycle
  - Automatic power-down
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ sleep mode for power saving

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.