9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM The CY7C1360B-200AC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Density**: 2 Mbit (128K x 18)
- **Speed**: 200 MHz (5 ns cycle time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD)
- **I/O Voltage**: 2.5V or 3.3V (VDDQ)
- **Organization**: 128K words × 18 bits
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Interface**: Synchronous with pipeline and flow-through options
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Features**: 
  - Byte Write capability
  - Burst mode operation (linear or interleaved)
  - Single-cycle deselect
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ (sleep) mode for power saving
  - Clock stop feature

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM The CY7C1360B-200AC is a synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM
- **Density**: 4 Mbit (256K x 16)
- **Speed**: 200 MHz (5 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V
- **Organization**: 256K words × 16 bits
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **I/O Type**: Common I/O (separate input and output buses)
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved
- **Features**: 
  - Single-cycle deselect
  - Byte write control
  - Self-timed write cycle
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low latency.