9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL? Architecture The CY7C1357C-100AXC is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (±0.3V)
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **I/O Type**: Synchronous (Pipelined)
- **Data Retention**: Low-power standby mode with data retention
- **Features**: 
  - Burst mode operation
  - Byte write capability
  - Self-timed write cycle
  - JTAG boundary scan support
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption

This device is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL? Architecture The CY7C1357C-100AXC is a 3.3V Synchronous Pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Density:** 4Mb (256K x 18)
- **Organization:** 256K words × 18 bits
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)
- **Speed Grade:** 100 MHz (10 ns access time)
- **Package:** 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Operation:** Synchronous, pipelined
- **I/O Type:** Common I/O (shared data input/output)
- **Burst Modes:** Linear or interleaved burst sequencing
- **Features:** 
  - Single-cycle deselect
  - Byte write control
  - Self-timed write cycle
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - ZZ sleep mode for power saving
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Pin Count:** 100
- **Technology:** CMOS

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.