9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1357B-100AC is a 3.3V 256K x 36 Synchronous Flow-Through SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Key specifications include:

- **Organization**: 256K x 36  
- **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)  
- **Voltage Supply**: 3.3V ±10%  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type**: Synchronous flow-through with ZBT (Zero Bus Turnaround) feature  
- **Interfaces**: Supports burst mode operation with linear or interleaved addressing  
- **Additional Features**:  
  - Single-cycle deselect  
  - Byte write capability  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.

9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1357B-100AC is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Manufacturer:** Cypress Semiconductor (CRY)  
- **Type:** Synchronous Pipelined Burst SRAM  
- **Density:** 4Mbit (256K x 18)  
- **Speed:** 100 MHz (10 ns access time)  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Package:** 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  
- **Burst Modes:** Linear and Interleaved  
- **Features:**  
  - Single-cycle deselect  
  - Byte write control  
  - Self-timed write cycle  
  - JTAG boundary scan support  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official documentation.