9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1356B-166BGC is a synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (256K x 16)  
3. **Speed**: 166 MHz (6 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 3.3V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 3.3V (VDDQ)  
6. **Organization**: 256K words × 16 bits  
7. **Package**: 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
9. **Burst Modes**: Linear or Interleaved (selectable)  
10. **Cycle Time**: 6 ns  
11. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible  
12. **Features**:  
    - Single-cycle deselect  
    - Byte write control  
    - ZZ (sleep mode) power-down feature  
    - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official documentation.