9-Mb (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1355B-100BGC is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM  
2. **Density**: 4Mb (256K x 18)  
3. **Speed**: 100 MHz (10 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 3.3V (±0.3V)  
5. **I/O Type**: LVTTL-compatible  
6. **Package**: 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
8. **Burst Modes**: Linear or Interleaved  
9. **Cycle Time**: 10 ns  
10. **Features**:  
   - Byte Write Control  
   - Single-cycle Deselect  
   - Self-timed Write Cycle  
   - JTAG Boundary Scan  

This SRAM is designed for high-performance networking and caching applications.