9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture The CY7C1354C-166BGC is a synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 3.3V Synchronous Pipelined Burst SRAM  
- **Density**: 4Mb (512K x 8)  
- **Speed**: 166 MHz (6 ns access time)  
- **Voltage Supply**: 3.3V ±10%  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Package**: 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type**: Single Data Rate (SDR)  
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved  
- **Burst Length**: 2, 4, 8, or full-page  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - ZZ (Sleep) mode for power saving  
  - JTAG boundary scan support  
  - Clock stop feature  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access.

9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture The CY7C1354C-166BGC is a synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM
- **Density**: 4Mb (512K x 8)
- **Speed**: 166 MHz (6 ns access time)
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
- **Package**: 119-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **I/O Type**: Common I/O
- **Burst Modes**: Linear and Interleaved
- **Features**: 
  - Byte Write Control
  - ZZ (Sleep Mode) for power saving
  - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect
  - Clock-controlled pipeline registers
  - Self-timed write cycle

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.