256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL? Architecture The CY7C1354A-200AC is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are the key specifications:

1. **Memory Size**: 4 Mbit (256K x 18)
2. **Organization**: 256K words × 18 bits
3. **Speed**: 200 MHz (5 ns access time)
4. **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
5. **Technology**: CMOS
6. **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
7. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)
8. **Interface**: Synchronous (pipelined) with burst mode support
9. **Burst Length**: Supports 2, 4, and 8-word linear or interleaved burst sequences
10. **Control Signals**: Includes chip enable (CE), output enable (OE), write enable (WE), and burst control (ADV)
11. **I/O Type**: Common I/O with 3.3V LVTTL-compatible inputs/outputs
12. **Power Consumption**: Active current (ICC) typically 220 mA, standby current (ISB) typically 30 mA
13. **Data Retention**: Guaranteed in standby mode (VDD ≥ 1.5V)
14. **Additional Features**: 
    - Byte write capability (Upper/Lower byte control)
    - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
    - Single-cycle deselect feature for reduced power consumption

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access, such as networking, telecommunications, and cache memory systems.