4-Mbit (128K x 36) Flow-through SRAM with NoBL(TM) Architecture The CY7C1351G-100AXC is a 3.3V, 256K x 36 Synchronous Flow-Through SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density:** 9 Mbit (256K x 36)
- **Organization:** 262,144 words × 36 bits
- **Supply Voltage:** 3.3V ±10%
- **Access Time:** 100 MHz (10 ns cycle time)
- **I/O Type:** Synchronous Flow-Through
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)
- **Package:** 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)
- **Interface:** Synchronous with separate address/data inputs and outputs
- **Features:** 
  - Byte Write capability (4 byte enable signals)
  - Single clock operation
  - Internally self-timed write cycle
  - Automatic power-down when deselected
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
- **Pin Count:** 100
- **Technology:** CMOS

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and synchronous operation.