4-Mb (128K x 36) Pipelined SRAM with Nobl(TM) Architecture The CY7C1350F-133AI is a high-speed CMOS synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 512K x 36 (18 Mbit)  
2. **Organization**: 512K words × 36 bits  
3. **Speed**: 133 MHz (7.5 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 3.3V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 3.3V (VDDQ)  
6. **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
7. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Interface**: Synchronous (pipelined) with burst mode support  
9. **Burst Length**: Supports 2, 4, 8, and full-page burst modes  
10. **Control Signals**: Includes chip enable (CE), output enable (OE), and byte write controls (BWx)  
11. **Data Retention**: Low-power standby mode for power savings  
12. **Technology**: CMOS  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.

4-Mb (128K x 36) Pipelined SRAM with Nobl(TM) Architecture The CY7C1350F-133AI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 4.5 Mbit (organized as 256K x 18)  
- **Speed**: 133 MHz (7.5 ns access time)  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **I/O**: 3.3V LVTTL-compatible  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write Control (×18)  
  - Single-cycle Deselect  
  - Internally self-timed Write Cycle  
  - Automatic Power-down  
  - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.