4-Mbit (128K x 36) Flow-Through Sync SRAM The CY7C1345G-133BGC is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) device manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Size**: 4 Megabits (512K x 8)
2. **Technology**: High-speed CMOS
3. **Speed**: 133 MHz (7.5 ns access time)
4. **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
5. **Operating Current**: 85 mA (typical at 133 MHz)
6. **Standby Current**: 5 mA (typical, CMOS level)
7. **Package**: 100-ball BGA (Ball Grid Array)
8. **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)
9. **Organization**: 512K words × 8 bits
10. **I/O Interface**: Common I/O (separate input and output)
11. **Features**: 
    - Asynchronous and synchronous operation
    - Byte write capability
    - Self-timed write cycle
    - Automatic power-down when deselected
12. **Pin Count**: 100
13. **Additional Features**: 
    - Single-cycle read/write operations
    - Low-power standby mode
    - TTL-compatible inputs and outputs

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.