18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1321KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz  
4. **Operating Voltage**: 1.8V  
5. **Access Time**: 2.5 ns (clock-to-output)  
6. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
7. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
10. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed applications  
   - Burst mode support  
   - Byte write capability  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
   - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.