18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1321KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Access Time**: 2.5 ns (clock-to-data)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Burst Modes**: Linear, Interleaved  
- **Pipeline Stages**: Two-stage  
- **Refresh**: Not required (SRAM retains data without refresh)  
- **Additional Features**:  
  - Byte Write capability  
  - On-chip address and data registers  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.