18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1320KV18250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)
- **Speed**: 250 MHz
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) and 1.5V (VDDQ)
- **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)
- **Features**: 
  - Pipelined operation for high-speed performance
  - Byte write capability
  - On-chip address and control registers
  - Single-cycle deselect
  - JTAG boundary scan support
  - ZZ (sleep mode) for power savings

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.