18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1320KV18-250BZXI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz  
4. **Access Time**: 2.5 ns (clock-to-data)  
5. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
6. **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL compatible)  
7. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
8. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
9. **Burst Modes**: Linear or Interleaved (programmable)  
10. **Cycle Time**: 4 ns  
11. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
12. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
13. **Features**:  
   - Pipelined operation for high throughput  
   - Byte Write capability  
   - On-chip address and data pipeline registers  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
   - ZZ (sleep mode) for power saving  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet)