18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1320KV18-250BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte Write capability  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and other high-speed applications requiring low latency and high bandwidth.  

(Note: Always verify datasheet details from the manufacturer for precise specifications.)