18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1320KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
6. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Access Time**: Pipelined for high-speed operation  
10. **Features**:  
   - HSTL I/O interface  
   - Byte Write capability  
   - JTAG boundary scan  
   - On-chip address and data pipelining  
   - Single-cycle deselect  

This device is designed for high-bandwidth applications requiring fast data access.