18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1320KV18-250BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Size**: 18 Mbit (1M x 18)
2. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
3. **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)
4. **Supply Voltage**: 1.8V ± 0.1V (core and I/O)
5. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
6. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
7. **Interface**: Synchronous (pipelined)
8. **Burst Modes**: Linear or Interleaved (programmable)
9. **Additional Features**:
   - Single-cycle deselect
   - Byte write control
   - Self-timed write cycle
   - JTAG boundary scan support
   - ZZ (sleep mode) for power saving
   - On-chip address and data pipeline registers

10. **Applications**: Networking, telecommunications, and high-performance computing systems.

This information is based on the CY7C1320KV18 datasheet from Cypress Semiconductor. For detailed specifications, always refer to the official documentation.