18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1320CV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 2 Mbit (128K x 18)
2. **Organization**: 131,072 words × 18 bits
3. **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)
4. **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)
5. **Interface**: Synchronous (pipelined) with ZBT (Zero Bus Turnaround) feature
6. **I/O Type**: LVTTL-compatible
7. **Cycle Time**: 4 ns (250 MHz operation)
8. **Access Time**: 4 ns (from clock rise)
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
10. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
11. **Additional Features**:
    - Single-cycle read/write operation
    - Byte write capability (×18 configuration)
    - On-chip address and data pipeline registers
    - JTAG boundary scan support
    - Burst mode support (linear or interleaved)

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.