18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1320CV18-167BZC is a high-performance synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Type**: Synchronous Pipelined Burst SRAM (QDR™-II SRAM)
2. **Density**: 18 Mbit (2M x 9)
3. **Speed**: 167 MHz (6 ns clock-to-output access time)
4. **Voltage Supply**: 1.8V (core and I/O)
5. **Organization**: 2,097,152 words × 9 bits
6. **Interface**: Quad Data Rate (QDR-II) with separate read/write ports
7. **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
9. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
10. **Features**:
   - Pipelined operation for high throughput
   - Double Data Rate (DDR) on address and control inputs
   - Echo clocks for data capture
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
   - On-chip termination (OCT) for signal integrity

This device is designed for high-bandwidth networking and telecommunications applications.